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1、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。
2、绝缘栅双极型晶体管。
3、是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
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